- Модель продукта IMT65R030M1HXUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-2
- Длина ремня 18V
- 650 V
Сопутствующие товары
SIC_DISCRETE
Инвентаризация: 1272
SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7
Инвентаризация: 521
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 925
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1931
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1998
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 0
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 47
SIC DISCRETE
Инвентаризация: 147
