Инвентаризация:2425

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 63A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 29.5A, 18V
  • Материал феррулы 234W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 8.8mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 49 nC @ 18 V
  • 1643 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 825

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 928

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1998

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 2000

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 102

1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE

Инвентаризация: 2994

Top