- Модель продукта IMBG120R350M1HXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3454
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 468mOhm @ 2A, 18V
- Материал феррулы 65W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
- Шаг Количество +18V, -15V
- 1200 V
- 5.9 nC @ 18 V
- 196 pF @ 800 V