Инвентаризация:3454

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 468mOhm @ 2A, 18V
  • Материал феррулы 65W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Шаг Количество +18V, -15V
  • 1200 V
  • 5.9 nC @ 18 V
  • 196 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263

Инвентаризация: 186

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 277

Top