Инвентаризация:1777

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.1A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 233.9mOhm @ 3A, 18V
  • Материал феррулы 80W (Tc)
  • Барьерный тип 5.1V @ 900µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -7V
  • 1200 V
  • 7.9 nC @ 18 V
  • 290 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

Инвентаризация: 521

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 840

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 958

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 884

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 953

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 980

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 978

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3

Инвентаризация: 1266

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Инвентаризация: 339

Top