Инвентаризация:1647

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 40.9mOhm @ 25.6A, 18V
  • Материал феррулы 273W (Tc)
  • Барьерный тип 5.2V @ 11mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-U02
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -7V
  • 1200 V
  • 68 nC @ 18 V
  • 2160 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 180

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 28

SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4

Инвентаризация: 251

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 7

DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top