Инвентаризация:1507

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 54.4mOhm @ 19.3A, 18V
  • Материал феррулы 227W (Tc)
  • Барьерный тип 5.2V @ 8.3mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-8
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1200 V
  • 51 nC @ 18 V
  • 1620 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V COOLSIC MOSFET PG-TO247-3

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-4

Инвентаризация: 9

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

Top