Инвентаризация:6281

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 43A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 47mOhm @ 21A, 18V
  • Материал феррулы 176W
  • Барьерный тип 4.8V @ 11.1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 1200 V
  • 91 nC @ 18 V
  • 2335 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 121

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

Инвентаризация: 998

1200V, 18M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4793

750V, 51A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 1014

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4714

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 796

1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1372

Top