Инвентаризация:2498

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 267W
  • Барьерный тип 5.6V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 107 nC @ 18 V
  • 1337 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

Инвентаризация: 1905

1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 391

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 796

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 989

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 660

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 914

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST

Инвентаризация: 1910

Top