Инвентаризация:1891

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 81A (Tj)
  • Сопротивление при 25°C 23.4mOhm @ 42A, 18V
  • Материал феррулы 312W
  • Барьерный тип 4.8V @ 22.2mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 1200 V
  • 170 nC @ 18 V
  • 4532 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 417

750V, 13M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 0

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

1200V, 43A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 400

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

1200V/23MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1501

Top