Инвентаризация:3405

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 23A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 137mOhm @ 7.6A, 18V
  • Материал феррулы 125W
  • Барьерный тип 5.6V @ 3.81mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 51 nC @ 18 V
  • 574 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

Инвентаризация: 919

SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

Инвентаризация: 785

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

Инвентаризация: 151

1200V, 17A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 0

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 660

Top