Инвентаризация:2419

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 104mOhm @ 10A, 18V
  • Материал феррулы 125W
  • Барьерный тип 5.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 48 nC @ 18 V
  • 571 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

Инвентаризация: 437

SICFET N-CH 650V 39A TO247N

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

Инвентаризация: 785

SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

Инвентаризация: 1905

SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

Инвентаризация: 810

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

750V, 34A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 406

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 989

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

Top