Инвентаризация:2310

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 156mOhm @ 6.7A, 18V
  • Материал феррулы 100W
  • Барьерный тип 5.6V @ 3.33mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 38 nC @ 18 V
  • 460 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

Инвентаризация: 251

SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

Инвентаризация: 437

SICFET N-CH 650V 38A TO263-7

Инвентаризация: 1189

SICFET N-CH 650V 30A TO247-4L

Инвентаризация: 254

SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

Инвентаризация: 919

SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

Инвентаризация: 3924

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 989

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

Top