Инвентаризация:1754

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 104mOhm @ 10A, 18V
  • Материал феррулы 134W
  • Барьерный тип 5.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 48 nC @ 18 V
  • 571 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 445

SICFET N-CH 1200V 55A TO247N

Инвентаризация: 1584

SICFET N-CH 1200V 31A TO247N

Инвентаризация: 842

SICFET N-CH 1200V 31A TO247-4L

Инвентаризация: 510

SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L

Инвентаризация: 102

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

Инвентаризация: 6540

SICFET N-CH 650V 21A TO247N

Инвентаризация: 2216

SICFET N-CH 650V 21A TO263-7

Инвентаризация: 810

750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 4859

Top