Инвентаризация:8040

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 21A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 156mOhm @ 6.7A, 18V
  • Материал феррулы 103W (Tc)
  • Барьерный тип 5.6V @ 3.33mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 38 nC @ 18 V
  • 460 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 461

MOSFET P-CH 30V 6A 6CPH

Инвентаризация: 9851

SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-3

Инвентаризация: 82

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 60

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 631

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

SICFET N-CH 1200V 17A TO247N

Инвентаризация: 1990

MOSFET N-CH 600V 8.4A TO247AC

Инвентаризация: 314

Top