Инвентаризация:2010

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 31A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 104mOhm @ 10A, 18V
  • Материал феррулы 165W
  • Барьерный тип 5.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 60 nC @ 18 V
  • 785 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO247-4

Инвентаризация: 592

SICFET N-CH 1200V 55A TO247-4L

Инвентаризация: 828

SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

Инвентаризация: 998

650V, 30A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 445

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 365

1200V, 31A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 443

SICFET N-CH 1200V 30A TO263-7

Инвентаризация: 785

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 313

Top