Инвентаризация:2285

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 104mOhm @ 10A, 18V
  • Материал феррулы 159W
  • Барьерный тип 5.6V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 60 nC @ 18 V
  • 785 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 650V 30A TO247N

Инвентаризация: 1546

SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

Инвентаризация: 919

SICFET N-CH 1200V 24A TO247N

Инвентаризация: 151

SICFET N-CH 1200V 24A TO247-4L

Инвентаризация: 102

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 796

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 914

Top