Инвентаризация:2328

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 55A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 262W
  • Барьерный тип 5.6V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 107 nC @ 18 V
  • 1337 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 204A MODULE

Инвентаризация: 4

MOSFET SIC 1200V 50A TO247-4L

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4

Инвентаризация: 875

SICFET N-CH 1200V 95A TO247N

Инвентаризация: 146

SICFET N-CH 650V 70A TO263-7

Инвентаризация: 437

1200V, 55A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 395

SICFET N-CH 650V 39A TO247-4L

Инвентаризация: 350

1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4781

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

Top