Инвентаризация:1794

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 45A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 270W (Tc)
  • Барьерный тип 3.5V @ 1mA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™ Long Leads
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 105 nC @ 20 V
  • 1700 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 33A HIP247

Инвентаризация: 603

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 526

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 378

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top