- Модель продукта SCT50N120
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1200V 65A HIP247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 69mOhm @ 40A, 20V
- Материал феррулы 318W (Tc)
- Барьерный тип 3V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение HiP247™
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 122 nC @ 20 V
- 1900 pF @ 400 V