Инвентаризация:1878

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 65A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 69mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 318W (Tc)
  • Барьерный тип 3V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HiP247™
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 122 nC @ 20 V
  • 1900 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 40A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 65A HIP247

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 2740

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

DISCRETE

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB

Инвентаризация: 1742

Top