- Модель продукта SCTL90N65G2V
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:4240
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 40A, 18V
- Материал феррулы 935W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (8x8) HV
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 650 V
- 157 nC @ 18 V
- 3380 pF @ 400 V