Инвентаризация:4240

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 24mOhm @ 40A, 18V
  • Материал феррулы 935W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (8x8) HV
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 157 nC @ 18 V
  • 3380 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 15879

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Инвентаризация: 2240

SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 90A H2PAK-7

Инвентаризация: 66

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 100A HIP247

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8

Инвентаризация: 0

N-CHANNEL 600 V, 0.084 OHM TYP.,

Инвентаризация: 2683

Top