- Модель продукта SIHJ690N60E-T1-GE3
- Бренд Vishay / Siliconix
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 600V 5.6A PPAK SO-8
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа PowerPAK® SO-8
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5.6A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 700mOhm @ 2A, 10V
- Материал феррулы 48W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение PowerPAK® SO-8
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 600 V
- 12 nC @ 10 V
- 347 pF @ 100 V
Сопутствующие товары
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650
Инвентаризация: 2740
MOSFET N-CH 800V 3.6A POWERFLAT
Инвентаризация: 14825
