- Модель продукта SCTL35N65G2V
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 67mOhm @ 20A, 20V
- Материал феррулы 417W (Tc)
- Барьерный тип 5V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (8x8) HV
- Шаг Количество +22V, -10V
- 650 V
- 73 nC @ 20 V
- 1370 pF @ 400 V