Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 40A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 67mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 417W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (8x8) HV
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 73 nC @ 20 V
  • 1370 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3

Инвентаризация: 309

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 43

SICFET N-CH 650V 38A TO263-7

Инвентаризация: 1189

SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 1704

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

Инвентаризация: 2740

SICFET N-CH 650V 45A HIP247

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 91A HIP247

Инвентаризация: 0

Top