Инвентаризация:3204

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 45A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 67mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 208W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение H2PAK-7
  • Длина ремня 18V, 20V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 73 nC @ 20 V
  • 1370 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 15

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 12A HIP247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 20A HIP247

Инвентаризация: 43

SICFET N-CH 1200V 40A H2PAK-2

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 95A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

IC POWER MOSFET 1200V HIP247

Инвентаризация: 294

Top