Инвентаризация:1515

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 221W (Tc)
  • Барьерный тип 4.2V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение HU3PAK
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 650 V
  • 39.5 nC @ 18 V
  • 920 pF @ 400 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3

Инвентаризация: 1648

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 0

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4714

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top