Инвентаризация:1620

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 58A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 29.5A, 18V
  • Материал феррулы 197W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 8.8mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +20V, -2V
  • 650 V
  • 48 nC @ 18 V
  • 1643 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-3

Инвентаризация: 912

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 268

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 176

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

Инвентаризация: 15

SICFET N-CH 650V 70A TO247N

Инвентаризация: 9107

Top