Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 64A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 41.1A, 18V
  • Материал феррулы 300W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 12.3mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 67 nC @ 18 V
  • 2288 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 909

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 923

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1931

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1934

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 631

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

Top