Инвентаризация:2409

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 45A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 64mOhm @ 20.1A, 18V
  • Материал феррулы 183W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 33 nC @ 18 V
  • 1118 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SICFET N-CH 650V 238A TO263-7

Инвентаризация: 460

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 494

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 923

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 120

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

MOSFET N-CH 600V 44A 8HSOF

Инвентаризация: 2000

Top