Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 54A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 51mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 211W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 7.5mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 41 nC @ 18 V
  • 1393 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 925

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 909

SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-

Инвентаризация: 825

MOSFET N-CH 300V 72A TO263AA

Инвентаризация: 0

SENSOR CURRENT HALL 25A UNIPOLAR

Инвентаризация: 200

Top