- Модель продукта IMW65R048M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2935
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 64mOhm @ 20.1A, 18V
- Материал феррулы 125W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +23V, -5V
- 650 V
- 33 nC @ 18 V
- 1118 pF @ 400 V