Инвентаризация:2935

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 39A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 64mOhm @ 20.1A, 18V
  • Материал феррулы 125W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-3-41
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +23V, -5V
  • 650 V
  • 33 nC @ 18 V
  • 1118 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 37A TO247-3

Инвентаризация: 743

GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

Инвентаризация: 570

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 351

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 88

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 55

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 565

AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3

Инвентаризация: 969

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 453

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

Top