Инвентаризация:2070

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34.5A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 25A, 10V
  • Материал феррулы 143W (Ta)
  • Барьерный тип 4.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 15 nC @ 10 V
  • 1000 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V 45 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 475

GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

Инвентаризация: 263

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2234

GAN HV PG-LSON-8

Инвентаризация: 0

GANFET N-CH

Инвентаризация: 2923

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Инвентаризация: 0

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 213

Top