Инвентаризация:1763

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47.2A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 41mOhm @ 32A, 10V
  • Материал феррулы 187W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 650 V
  • 22 nC @ 10 V
  • 1500 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L

Инвентаризация: 879

GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3

Инвентаризация: 570

MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 1435

IGBT TRENCH FS 600V 75A TO247-3L

Инвентаризация: 364

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Инвентаризация: 0

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 302

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 213

Top