- Модель продукта SGT65R65AL
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS No
- Описание RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT
- Классификация РЧ полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Толщина контактного покрытия 25A
- Количество витков Surface Mount
- Скорость N-Channel
- Общее сопротивление 5W
- Функция - Освещение GaN HEMT
- Максимальное переменное напряжение PowerFlat™ (5x6) HV
- Длина ножки 650 V
- 400 V
Сопутствующие товары
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 2198
GAN
Инвентаризация: 0
RF MOSFET GAN 48V 6DFN
Инвентаризация: 721
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 2376
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 2234
650 V, 75 MOHM TYP., 15 A, E-MOD
Инвентаризация: 0
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
Инвентаризация: 2815
