Инвентаризация:3734

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 3.9A, 6V
  • Материал феррулы 125W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 12.2mA
  • Максимальное переменное напряжение DFN8080-8
  • Длина ремня 6V
  • Шаг Количество +7V, -1.4V
  • 650 V
  • 2.8 nC @ 6 V
  • 96 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


250MW, 16V, SOT-23, AUTOMOTIVE Z

Инвентаризация: 2705

MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK

Инвентаризация: 7508

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2376

GANFET N-CH 650V 5A DFN 5X6

Инвентаризация: 167

GaNFET N-CH 650V 7A DFN8x8

Инвентаризация: 500

GAN HV PG-LSON-8

Инвентаризация: 0

MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK

Инвентаризация: 3811

MOSFET P-CH 60V 5.1A TO251AA

Инвентаризация: 1552

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Инвентаризация: 0

Top