Инвентаризация:3485

Технические детали

  • Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 8A, 6V
  • Материал феррулы 240W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 30.7mA
  • Максимальное переменное напряжение DFN8080-8
  • Длина ремня 6V
  • Шаг Количество +7V, -6V
  • 650 V
  • 6.2 nC @ 6 V
  • 225 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Инвентаризация: 737

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2451

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2376

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2234

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G

Инвентаризация: 4057

ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD

Инвентаризация: 3614

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Инвентаризация: 0

Top