- Модель продукта GAN080-650EBEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание 650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3485
Технические детали
- Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 29A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 80mOhm @ 8A, 6V
- Материал феррулы 240W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 30.7mA
- Максимальное переменное напряжение DFN8080-8
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +7V, -6V
- 650 V
- 6.2 nC @ 6 V
- 225 pF @ 400 V