- Модель продукта GAN140-650EBEZ
- Бренд Nexperia
- RoHS Yes
- Описание 650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3951
Технические детали
- Тип монтажа 8-VDFN Exposed Pad
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 17A (Ta)
- Сопротивление при 25°C 140mOhm @ 5A, 6V
- Материал феррулы 113W (Ta)
- Барьерный тип 2.5V @ 17.2mA
- Максимальное переменное напряжение DFN8080-8
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +7V, -1.4V
- 650 V
- 3.5 nC @ 6 V
- 125 pF @ 400 V