- Модель продукта AONV070V65G1
- Бренд Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- RoHS Yes
- Описание GAN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerTDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 16A
- Сопротивление при 25°C 90mOhm @ 6A, 6V
- Материал феррулы 125W
- Барьерный тип 2.3V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (8x8)
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество 6V
- 650 V
- 6.9 nC @ 6 V
- 203 pF @ 400 V