- Модель продукта CGD65B200S2-T13
- Бренд Cambridge GaN Devices
- RoHS Yes
- Описание 650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:5855
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Толщина внешнего контактного покрытия 8.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 280mOhm @ 600mA, 12V
- Тип подключения Current Sensing
- Барьерный тип 4.2V @ 2.75mA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
- Длина ремня 9V, 20V
- Шаг Количество +20V, -1V
- 650 V
- 1.4 nC @ 12 V