Инвентаризация:6385

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 182mOhm @ 900mA, 12V
  • Тип подключения Current Sensing
  • Барьерный тип 4.2V @ 4.2mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
  • Длина ремня 9V, 20V
  • Шаг Количество +20V, -1V
  • 650 V
  • 2.3 nC @ 12 V

Сопутствующие товары


650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Инвентаризация: 737

650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.

Инвентаризация: 3352

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

Инвентаризация: 4355

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2376

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

150 V, 7 MOHM GALLIUM NITRIDE (G

Инвентаризация: 4057

GAN HV

Инвентаризация: 4106

GAN FET HEMT 650V .36OHM 22QFN

Инвентаризация: 2960

650 V 13 A GAN FET

Инвентаризация: 5887

Top