- Модель продукта CDF56G6511N TR13 PBFREE
- Бренд Central Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:3961
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerVDFN
- Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 3.9A, 6V
- Материал феррулы 1.1W (Ta), 84W (Tc)
- Барьерный тип 2.5V @ 12.2mA
- Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
- Длина ремня 6V
- Шаг Количество +7V, -1.4V
- 650 V
- 2.8 nC @ 6 V
- 96 pF @ 400 V