Инвентаризация:3961

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount, Wettable Flank
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11.5A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 190mOhm @ 3.9A, 6V
  • Материал феррулы 1.1W (Ta), 84W (Tc)
  • Барьерный тип 2.5V @ 12.2mA
  • Максимальное переменное напряжение 8-DFN (5x6)
  • Длина ремня 6V
  • Шаг Количество +7V, -1.4V
  • 650 V
  • 2.8 nC @ 6 V
  • 96 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


GAN

Инвентаризация: 0

SUPER JUNCTION MOSFETS

Инвентаризация: 500

650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W

Инвентаризация: 737

650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 1971

GAN HV

Инвентаризация: 4892

GANFET N-CH 650V 13A QFN5X6

Инвентаризация: 3791

Top