Инвентаризация:6392

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerTDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 8.2A (Tc)
  • Материал феррулы 41.6W (Tc)
  • Барьерный тип 1.6V @ 530µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TSON-8-7
  • Шаг Количество -10V
  • 600 V
  • 87.7 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN

Инвентаризация: 2461

650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.

Инвентаризация: 4355

TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

Инвентаризация: 0

650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (

Инвентаризация: 1985

ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO

Инвентаризация: 3051

GANFET N-CH

Инвентаризация: 1489

GAN HV

Инвентаризация: 4106

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

Top