- Модель продукта FBG30N04CC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 404mOhm @ 4A, 5V
- Барьерный тип 2.8V @ 600µA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 300 V
- 2.6 nC @ 5 V
- 450 pF @ 150 V
Сопутствующие товары
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Инвентаризация: 15879
TRANS GAN BUMPED DIE
Инвентаризация: 12647
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Инвентаризация: 49640
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Инвентаризация: 0
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 141
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
Инвентаризация: 49
GANFET 2N-CH 300V 4A 4SMD
Инвентаризация: 50
GaNFET N-CH 650V 5A DFN6x8
Инвентаризация: 450
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
