Инвентаризация:1550

Технические детали

  • Тип монтажа 4-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внутренняя отделка контактов 300V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
  • Глубина 450pF @ 150V
  • Сопротивление при 25°C 404mOhm @ 4A, 5V
  • Тип симистора 2.6nC @ 5V
  • Барьерный тип 2.8V @ 600µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-SMD

Сопутствующие товары


GANFET 3 N-CH 100V 9BGA

Инвентаризация: 5402

GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C

Инвентаризация: 0

Top