- Модель продукта FBG10N05ASH
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 5A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 45mOhm @ 5A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1.2mA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 2.2 nC @ 5 V
- 233 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 73
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 166
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 0
GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 141
GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
Инвентаризация: 51
GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
Инвентаризация: 0
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Инвентаризация: 1985
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Инвентаризация: 1971
