- Модель продукта EPC7004BC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 13mOhm @ 30A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 7mA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 7 nC @ 5 V
- 797 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Инвентаризация: 3615
GANFET 3 N-CH 100V 9BGA
Инвентаризация: 5402
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Инвентаризация: 19824
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Инвентаризация: 2698
GANFET N-CH 80V 90A DIE
Инвентаризация: 60719
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Инвентаризация: 144
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
Инвентаризация: 19
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Инвентаризация: 8
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 166
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Инвентаризация: 48
