- Модель продукта EPC7014UBSH
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 580mOhm @ 1A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 140µA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
- Длина ремня 5V
- 60 V
- 22 pF @ 30 V
Сопутствующие товары
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Инвентаризация: 9465
GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
Инвентаризация: 144
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 73
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD
Инвентаризация: 100
GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
Инвентаризация: 22
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Инвентаризация: 95
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 166
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
Инвентаризация: 0
