- Модель продукта EPC7003AC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 100V 5A COTS 4UB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 42mOhm @ 10A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 1.4mA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 100 V
- 1.5 nC @ 5 V
- 168 pF @ 50 V
Сопутствующие товары
Linear IC's
Инвентаризация: 0
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 73
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 105
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 100V 74A COTS 4UD
Инвентаризация: 100
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Инвентаризация: 8
GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
Инвентаризация: 22
GAN FET HEMT 40V 80A COTS 4UD
Инвентаризация: 100
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Инвентаризация: 95
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
Инвентаризация: 0
