Инвентаризация:1582

Технические детали

  • Тип монтажа 4-SMD, No Lead
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 1A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 580mOhm @ 1A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 140µA
  • Максимальное переменное напряжение 4-SMD
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +7V, -4V
  • 60 V
  • 22 pF @ 30 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 15879

GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B

Инвентаризация: 105

GAN FET HEMT 60V 1A 4UB

Инвентаризация: 19

GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB

Инвентаризация: 8

GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB

Инвентаризация: 95

GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A

Инвентаризация: 48

50V 10A HALF BRIDGE

Инвентаризация: 11

100V 5A DUAL LOW SIDE DRIVER

Инвентаризация: 15

Top