- Модель продукта EPC7019GC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа 5-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 80A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4mOhm @ 50A, 5V
- Барьерный тип 2.5V @ 18mA
- Максимальное переменное напряжение 5-SMD
- Длина ремня 5V
- Шаг Количество +6V, -4V
- 40 V
- 2830 pF @ 20 V
Сопутствующие товары
GANFET 2N-CH 60V 23A DIE
Инвентаризация: 3615
GANFET 2N-CH 30V 16A DIE
Инвентаризация: 19824
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
Инвентаризация: 8
MOSFET 200V 4A 4SMD
Инвентаризация: 330
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 62
50V 10A HALF BRIDGE
Инвентаризация: 11
