- Модель продукта FBG20N04AC
- Бренд EPC Space
- RoHS No
- Описание MOSFET 200V 4A 4SMD
- Классификация Массивы полевых транзисторов, МОП-транзисторов
-
PDF
Инвентаризация:1830
Технические детали
- Тип монтажа 4-SMD, No Lead
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внутренняя отделка контактов 200V
- Толщина внешнего контактного покрытия 4A (Tc)
- Глубина 150pF @ 100V
- Сопротивление при 25°C 130mOhm @ 4A, 5V
- Тип симистора 3nC @ 5V
- Тип подключения Logic Level Gate
- Барьерный тип 2.8V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение 4-SMD
Сопутствующие товары
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
Инвентаризация: 82
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
Инвентаризация: 95
GAN FET HEMT 100V5A COTS 4FSMD-A
Инвентаризация: 48
GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
Инвентаризация: 25
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
Инвентаризация: 62
